Ang Estados Unidos nagpalambo sa mga materyales nga semiconductor nga adunay taas nga thermal conductivity aron mapugngan ang pagpainit sa chip.
Uban sa pagdugang sa gidaghanon sa mga transistor sa chip, ang computing performance sa computer nagpadayon sa pag-uswag, apan ang taas nga densification usab og daghang mga hot spot.
Kung wala’y husto nga teknolohiya sa pagdumala sa kainit, dugang sa pagpahinay sa katulin sa operasyon sa processor ug pagkunhod sa pagkakasaligan, adunay usab mga hinungdan alang sa Paglikay sa sobrang kainit ug nanginahanglan dugang nga enerhiya, nga nagmugna sa mga problema sa pagkawalay kaarang sa enerhiya.Aron masulbad kini nga problema, ang Unibersidad sa California, Los Angeles nakamugna usa ka bag-ong materyal nga semiconductor nga adunay labi ka taas nga thermal conductivity kaniadtong 2018, nga gilangkuban sa wala’y depekto nga boron arsenide ug boron phosphide, nga parehas sa naglungtad nga mga materyales sa pagwagtang sa kainit sama sa diamante ug silicon carbide.ratio, nga adunay labaw pa sa 3 ka beses ang thermal conductivity.
Niadtong Hunyo 2021, ang Unibersidad sa California, Los Angeles, migamit ug bag-ong mga semiconductor nga materyales aron makombinar sa high-power nga mga computer chips aron malampusong masumpo ang init nga henerasyon sa mga chips, sa ingon mapausbaw ang performance sa computer.Gisal-ot sa research team ang boron arsenide semiconductor tali sa chip ug sa heat sink isip kombinasyon sa heat sink ug sa chip aron mapalambo ang heat dissipation effect, ug nagpahigayon og research sa performance sa thermal management sa aktuwal nga device.
Human sa bonding sa boron arsenide substrate ngadto sa halapad nga energy gap gallium nitride semiconductor, kini gipamatud-an nga ang thermal conductivity sa gallium nitride/boron arsenide interface mao ang ingon ka taas sa 250 MW/m2K, ug ang interface sa thermal resistensya miabot sa usa ka hilabihan ka gamay nga lebel.Ang boron arsenide substrate dugang nga inubanan sa usa ka advanced high electron mobility transistor chip nga gilangkuban sa aluminum gallium nitride/gallium nitride, ug kini gipamatud-an nga ang heat dissipation effect mas maayo kay sa diamante o silicon carbide.
Gipaandar sa research team ang chip sa pinakataas nga kapasidad, ug gisukod ang init nga lugar gikan sa temperatura sa lawak ngadto sa pinakataas nga temperatura.Ang mga resulta sa eksperimento nagpakita nga ang temperatura sa diamante nga heat sink mao ang 137 ° C, ang silicon carbide heat sink mao ang 167 ° C, ug ang boron arsenide heat sink kay 87 ° C lamang.Ang maayo kaayo nga thermal conductivity niini nga interface naggikan sa talagsaon nga phononic band structure sa boron arsenide ug ang integration sa interface.Ang boron arsenide nga materyal dili lamang adunay taas nga thermal conductivity, apan adunay gamay usab nga interface nga thermal resistance.
Mahimo kining gamiton isip heat sink aron makab-ot ang mas taas nga gahum sa pag-operate sa device.Gilauman nga magamit kini sa layo, taas nga kapasidad nga wireless nga komunikasyon sa umaabot.Mahimo kining gamiton sa natad sa high frequency power electronics o electronic packaging.
Oras sa pag-post: Ago-08-2022